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霍尔式接近开关结构原理

 发布时间:2020-12-18 点击量:983

霍尔式接近开关结构原理

当一块金属或半导体薄片垂直电流磁场,可以产生晶片的两端的电位差,这一现象称为霍尔效应。两端与潜在价值称为霍尔电压U,其表达式

U=K·I·B/d

霍尔系数K,我对当前在晶片,B的附加磁场磁感应强度(洛伦磁力Lorrentz),d是钢板的厚度。

因此,霍尔效应的灵敏度和磁感应强度和磁场成正比关系。霍尔效应原理图这种活跃的磁电转换设备大厅开关,它是基于霍尔效应原理,使用集成包装和装配过程,它可以很容易地将磁性输入信号转换成电信号在实践中,同时与工业应用操作简单和可靠性要求。

霍尔开关的输入端特点是磁感应强度B,B值达到一定水平时(B1),大厅内开关触发翻转,霍尔开关状态的输出水平翻转。常用的输出晶体管输出,和类似的NPN型和PNP型接近开关,常开、常闭,门闩式(双极性),双信号输出。

霍尔开关没有电击,功耗,寿命长,响应频率等,内部使用环氧树脂涌入集成,所以它可以在各种恶劣环境和可靠的工作。霍尔开关可用于接近开关,压力开关,仪表,等,是一种新型的电器配件。

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